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| 研究試作に、4種類の面方位が選べる片面研磨サファィア基板です。 納期はご注文後2-3日です*。ご希望の組み合わせで販売可能です。 |
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a面、c面、m面、r面、2インチサファイア基板![]() SEMI規格準拠 片面研磨ウエハー (エピタキシャルグレード) |
合成単結晶サファイア基板(2インチウエハー) a, c, m, r面 ◆結晶 キロプロス法による高品質合成単結晶 ◆直径 2インチ (50.8mm +/-0.05mm) ◆厚さ 430μm (+/-25μm) ◆面方位 a面、c面、m面、r面 (+/- 0.1〜0.3°) ◆オリフラ 16mm (+/-0.5mm,) ◆表面 片面研磨エピタキシャルレベル (Ra 5Å以下) 裏面研削(ファイングラウンド)仕上 ◆TTV, Bow <=10μm ◆ その他 オリフラ付近にレーザーによる管理番号付 ◆ 包装 個別密封ハードケース入り |
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(a、c、m, r面の必要枚数をメールにご記入ください。) *数量多数の場合、納期が伸びることがあります。 |
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