optostar
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結晶基板のオプトスター
サファイア基板、チューブ
石英ガラスウエハー
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Crystals &Wafers
光学, 半導体, MEMS, バイオ・材料等 研究用ウエハー
株式会社 オプトスター
結晶材料の製造、販売、精密加工
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シリコンウエハー
ゲルマニウムウエハー
SiC,ZnO,GaN




人工水晶



ST-カット AT-カット等
人工水晶ウエハー販売中



(写真:ウエハー切断前の水熱合成法単結晶インゴット)




   ■
 材質
   ■ カット
    直径
   ■ 厚さ
   ■ オリフラ
   ■ 表面
   ■ 裏面
   ■ 梱包




RH 単結晶 人工水晶
ST-cut
2インチ (50.8 +/-0.2mm)
0.5mm ( +/-50 μm)
X-cut (11-20) (15 +/-2mm)
研磨 Ra <=10nm
研削仕上
10枚 1ケース入り
Single Crystal Quartz Wafers

(標準品) 1.5インチ角 x T >= 0.1mm 10枚セット
1.5インチ(約38mm) 角、又はそれ以下のサイズにて、御相談に応じます。
カットアングルは AT, X(電気軸), Z(光軸), Y(機械軸), X+1°50, X+1°35 が標準です。

(その他) φ2インチ
2インチ, ST-カット 人工水晶基板も販売しています。(左記)
MEMS等のご研究用途向けです。AT-カットその他もお問い合わせ下さい。

(注)水晶基板を用いたデバイスは最終的な加工厚さや環境等によって特性が著しく変化します。当該基板は個々の開発における最終動作までを保証するものではありません。予めご了承ください。

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ZnO基板
ZnO 酸化亜鉛基板 (ワイドギャップ半導体材料、研究用途に1cm角研磨基板を販売)

単結晶酸化亜鉛基板(ZnO)は窒化物半導体デバイスの作成等に利用価値の高い材料です。
現在10mmx10mmサイズの両面研磨基板標準品を、短納期で1枚から販売しております。

標準品は下記c面ノンドープ高抵抗基板ですが、φ2インチや高ドープ、a面やm面もご相談下さい。
研磨面方位 (0001)Zn極性面、(000-1)O極性面  +/-0.5°
材料・表面仕上げ 水熱合成法 ZnO単結晶 両面エピタキシャルレベルグレード研磨品(Zn面、及びO面)
基板サイズ 角形 10x10x0.5mm (2角に面方位参照用 エッジカット有り)

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基板 (ウェーハ チューブ・ロッド 窓板・レンズ ポリッシュ・薄膜 レーザー加工