SiC基板・ZnO基板・GaN基板販売

● SiC シリコンカーバイド基板（ワイドギャップ半導体材料。研究用途に2インチ及び1cm角研磨基板を販売）

シリコンカーバイド基板（SiC・炭化珪素)で製造される半導体デバイスは、シリコン基板製のデバイスに比べて一般に高周波性能や高温、高耐圧特性で優れているため、今後の発展が期待されています。
現在当社では下記標準品4Hと6Hの研磨ウエハー（10mmx10mm）を1枚から販売しております。

(下記標準品は1枚から販売）

結晶多形	4H	6H
面方位	[0001] +/-0.5°	[0001] +/-0.5°
タイプ・表面仕上げ	Nタイプ　片面(Si面)研磨品	Ｎタイプ　片面(Si面)研磨品
基板サイズ	角形 10x10mm	角形 10x10mm
基板厚さ	500μm (+/-25μm)	500μm (+/-25μm)
比抵抗	0.01～0.03Ωcm	0.05～0.10Ωcm
マイクロパイプ密度	<=100 cm-2	<=30 cm-2
エッジ除外領域	<1mm	<1mm
基準辺カット　（右記に平行）	[1-100}+/-1°	[1-100}+/-1°

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● ZnO 酸化亜鉛基板（ワイドギャップ半導体材料、研究用途に1cm角研磨基板を販売）

単結晶酸化亜鉛基板(ZnO)は窒化物半導体デバイスの作成等に利用価値の高い材料です。
現在10mmx10mmサイズの片面研磨基板標準品を、短納期で1枚から販売しております。

研磨面方位	(0001)Zn面、(000-1)O面　+/-30°
材料・表面仕上げ	水熱合成法 ZnO単結晶　両面研磨品（Zn面、及びO面)
基板サイズ	角形　10x10x0.5mm (2角に面方位参照用　エッジカット有り)

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● GaN基板（窒化ガリウム基板）バルクGaN 及びテンプレート品の販売

■. アイテム1.　GaNバルク基板
（高品質GaN単結晶。)
(異種材基板による格子定数や熱膨張率差の解消に。）

φ1インチ or 1cm角厚さ約350μm のGaNバルク基板（自立基板）をc面エピタキシャルレディの研磨面(※1)、またはエピタキシャル成長(※2)させた窒化ガリウム層付きにて販売しております。当社では、ご研究の初期費用を抑えたい場合向けに5mm角のバルクGaNバルク切り出し品（写真左下）も販売中です。（こちらは片面光学研磨品になります。）

■. アイテム2. GaNテンプレート品
（サファイアウエハー＋エピタキシャル窒化ガリウム層1～4μm）の販売。
HEMTやLEDアプリケーション等のご研究で窒化ガリウム層特性を簡単に評価できるよう、厚さ430μm φ2インチc面片面研磨のサファイア基板上に、エピタキシャルGaN (※2)を成膜したテンプレート品です。

※1. 通常、初めて使用するバルクGaN基板で確実にエピタキシャル成膜を行う事は容易ではないと思われます。窒化ガリウム層のエピタキシャル成膜は、十数年の実績を持つ当社提携工場で1枚から対応しています。

※2　上記GaNエピタキシャル層の標準はｎ-タイプですが、アンドープ、ｐ-タイプ、又は混晶を含めて多層構造にしての試作も可能です。バルク基板、またはテンプレート上の窒化ガリウム層+αのカスタマイズ品はご相談下さい。

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