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結晶基板のオプトスター
サファイア基板、チューブ
石英ガラスウエハー
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Crystals & Wafers
光学, 半導体, MEMS, バイオ・化学等 研究用ウエハー専門サプライヤー
株式会社 オプトスター
結晶材料の製造、販売、精密加工
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シリコンウエハー
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ZnO基板
SiC,ZnO,GaN
GaN基板 バルク 5mm 角
GaN基板 (窒化ガリウム基板 )・サファイアテンプレート GaN ウエハー販売


アイテム1. GaNテンプレート 1枚 から、多層膜製品のご相談も承ります

標準仕様: サファイアウエハー(0001) 430μm + エピタキシャル窒化ガリウム層 3μm

HEMTやLEDアプリケーション等のご研究で窒化ガリウム層特性を簡単に評価できるよう、厚さ430μm φ2インチc面片面研磨サファイア基板上に、エピタキシャルGaN (※1)を成膜したテンプレート品です。


※1 上述GaNテンプレートの標準品はn-タイプ3μmですが、アンドープ、p-タイプ、又は混晶等の任意の多層で試作が可能です。φ4インチサファイアテンプレートも販売しております。詳細は公開できませんが、研究機関を中心に数多くご提供しております。AlNやInN等、テンプレート上の窒化ガリウム層だけではなく、多層カスタマイズのテンプレート試作にもお応えできます。


アイテム2. GaNバルク基板

(高品質GaN単結晶を使用。異種材結合テンプレートの格子定数や熱膨張率が問題になる場合にお勧めです。)

潟Iプトスターではφ1インチ or 1.5インチ 厚さ 約350μm のGaNバルク基板(自立基板)を、c面エピタキシャルレディの研磨面状態、又はエピタキシャル成長(※2)させた窒化ガリウム層付きで販売しています。 単純にGaN組成のご研究向けには5mm角バルクGaNバルク切り出し品 (写真左)も販売しています。(片面光学研磨品)

※2. 初めて使用するバルクGaN基板に確実なエピタキシャル成膜を行う事は容易ではないと思われます。窒化ガリウム層のエピタキシャル成膜は、十数年の実績を持つ当社提携工場で1枚から対応致します。

2016年9月現在:1インチGaNバルク基板若干数在庫有ります。メール等でご相談下さい。

inquiry GaN基板のお問い合わせ、見積り依頼
SiC シリコンカーバイド基板 (ワイドギャップ半導体材料。研究用途に1cm角研磨基板を販売)

シリコンカーバイド基板(SiC・炭化珪素)で製造される半導体デバイスは、シリコン基板製のデバイスに比べて一般に高周波性能や高温、高耐圧特性で優れているため、今後の発展が期待されています。

潟Iプトスターでは下記標準品のSiCウエハー(10mmx10mm 研磨品)を1枚から販売しております。


(標準品仕様)
結晶多形 4H 6H
面方位 [0001] +/-0.5° [0001] +/-0.5°
タイプ・表面仕上げ Nタイプ 片面(Si面)研磨品 Nタイプ 片面(Si面)研磨品
基板サイズ 角形 10x10mm 角形 10x10mm
基板厚さ 500μm (+/-25μm) 500μm (+/-25μm)
比抵抗 0.01〜0.03Ωcm 0.05〜0.10Ωcm
マイクロパイプ密度 <=100 cm-2 <=30 cm-2
エッジ除外領域 <1mm <1mm
基準辺カット (右記に平行) [1-100}+/-1° [1-100}+/-1°

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ZnO 酸化亜鉛基板 (ワイドギャップ半導体材料、研究用途に1cm角研磨基板を販売)

単結晶酸化亜鉛基板(ZnO)は窒化物半導体デバイスの作成等に利用価値の高い材料です。
現在10mmx10mmサイズの両面研磨基板標準品を、短納期で1枚から販売しております。

標準品は下記c面ノンドープ高抵抗基板ですが、φ2インチや高ドープ、a面やm面もご相談下さい。
研磨面方位 (0001)Zn極性面、(000-1)O極性面  +/-0.5°
材料・表面仕上げ 水熱合成法 ZnO単結晶 両面研磨品(Zn面、及びO面)
基板サイズ 角形 10x10x0.5mm (2角に面方位参照用 エッジカット有り)

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基板 (ウェーハ チューブ・ロッド 窓板・レンズ ポリッシュ・薄膜 レーザー加工