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光学、半導体、MEMS用ウエハー専門サプライヤー
株式会社 オプトスター
結晶材料の製造、販売、精密加工
| 基板 (ウェーハ） |
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チューブ・ロッド |
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窓板・レンズ |
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ポリッシュ・薄膜 |
SOI基板（厚膜/薄膜SOIウェーハデバイス層）/ MEMS研究開発用各種シリコンウエハー
SOIウエハーは最小ロット20枚（仕様による）からの製造販売。ご希望のSOIウエハー仕様をお問い合わせ下さい。
SOI基板（シリコンオンインシュレータウェーハ）
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◆薄膜SOI基板 |
◆厚膜SOI基板 |
| ◆SOIウエハ-製造方法 |
張り合わせ（ウェーハボンディング）式 |
張り合わせ（ウェーハボンディング）式 |
| ◆直径 |
4”, 5", 6", 8"(インチ) |
4”, 5", 6", 8"(インチ) |
| ◆SOI（デバイス）Si層膜厚 |
0.5μm〜15μm(+/-0.1μm〜) |
2μm〜数100μm(+/-0.5μm〜) |
| ◆埋め込みSiO2層（BOX）膜厚 |
0.1〜20μm(+/-5%) |
0.1〜20μm(+/-5%) |
| ◆基板（ハンドル）Si厚さ |
300〜725μm (最薄150μm) |
300〜725μm (最薄150μm) |
| ◆ドーパント、及びSi方位 |
タイプP, N / <100>, <110> |
タイプP, N / <100>, <110>, <111> |
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SOI基板（Silicon On Insurator wafer)は半導体デバイス等のリーク電流を減少させ、省電力、動作速度UPに貢献します。
半導体分野ではSOI基板技術を用いたMPU等が多くの企業で製造され、MEMS等の製品分野にも急速に広がっています。SOI基板（Si）デバイス層の膜厚は0.5μm〜数100μm、デバイス層のTTV精度は最小0.2μm(膜厚+/-0.1μm)までのご提供が可能です。また、BOX層に数百ミクロン以上の厚さを必要とされる場合には独自の方法により、合成石英ガラス(SiO2)基板をボンディングすることもできます。
研究機関にも多くの実績が御座いますので、SOIウエハーの他、シリコンオングラス、シリコンオンゲルマニウム、シリコンオンサファイア、多重SiO2層によるSOI基板等、カスタマイズ品が必要な場合もお気軽にご相談下さい。 |
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米国 MEMS Engineering & Material,
Inc / 日本総代理店 |
