SOI基板、小ロットから購入できます。

(※) 数10枚一括での購入は難しいけれども、SOI特性は一度試してみたいというご研究者様を対象とした販売品です。
　　　初回購入限定で、1研究室につき1枚～数枚とさせて頂きます。2017 2/6 現在、完売しました。

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SOIウエハーの他にSOS基板、単結晶シリコン基板（酸化膜有り・無し）も販売しております。詳細はお問い合わせ下さい。

	◆ SOI基板 (20枚～)	◆ SOI 特別ご提供モデル (1枚 ※)
◆SOIウエハ-製造方法	張り合わせ（ウェーハボンディング）式	張り合わせ（ウェーハボンディング）式
◆直径	2", 4”, 5", 6", 8"(インチ)	2”(インチ)
◆SOI（デバイス）Si層膜厚	0.5μm～15μm (+/-0.1μm～)	2.2μm (+/-0.15μm)
◆埋め込みSiO2層（BOX）膜厚	0.1～15μm (+/-5%)	1.5μm (+/-5%)
◆基板（ハンドル）Si厚さ	300～725μm (最薄150μm)	725μm (+/-15μm)
◆ドーパント、及びSi方位	タイプP, N / <100>, <110>, <111>	Pタイプ 20～40 Ohm・cm / <100>

SOI基板（Silicon On Insurator wafer)は半導体デバイス等のリーク電流を減少させ、省電力、動作速度UPに貢献します。

半導体分野ではSOI基板技術を用いたMPU等が多くの企業で製造され、MEMS等の製品分野にも急速に広がっています。SOI基板（Si）デバイス層の膜厚は0.5μm～数100μm、デバイス層のTTV精度は最小0.2μm(膜厚+/-0.1μm)までのご提供が可能です。また、BOX層に数百ミクロン以上の厚さを必要とされる場合には独自の方法により、合成石英ガラス(SiO2)基板をボンディングすることもできます。

研究機関にも多くの実績が御座いますので、SOIウエハーの他、シリコンオングラス、シリコンオンゲルマニウム、多重SiO2層によるSOI基板等、カスタマイズ品が必要な場合もお気軽にご相談下さい。