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| 半導体研究開発向け4インチシリコンウエハー 10枚セット販売 本標準品の納期はご注文後2-3日になります。 |
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| 単結晶シリコンウエハー（P型、N型) 熱酸化膜加工も対応可  2-6インチ基板 単結晶シリコンウエハー CZ法、又はFZ法（高抵抗材） 片面鏡面研磨基板 |
単結晶シリコンウエハー（4インチウエハー）標準品 | |||||||||
| ◆材質 ◆面方位 ◆タイプ ◆抵抗 ◆ウエハー径 ◆ウエハー厚 ◆オリフラ ◆表面 ◆TTV ◆包装 |
単結晶シリコン（CZ法） (100) Pタイプ（B ドープ）, 又はNタイプ(P ドープ) Pタイプ1〜20Ωcm, Nタイプ1〜20Ωcm 4インチ (100mm +/-0.5mm) 525μm （+/-25μm） 第一第二 片面鏡面研磨(Ra 5〜10Å) <=10μm 10枚/1ボックス梱包 |
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| 単結晶基板の中でも、メモリデバイス等の半導体用シリコンウエハーは大口径化が進み、各メーカーでは200mm(8インチ)〜300mm(12インチ)基板の生産が主流の方向です。一方、大学の研究開発や企業の試作製造においては100mm(4インチ)前後の小口径シリコンウエハーも未だ必要とされております。このため、オプトスターでは現在2-6インチサイズの小口径シリコンウエハーの販売に特化しております。 CZ法、又はFZ法での製造による高純度(不純物数ppb)の単結晶を使用し、ドープ注入、鏡面研磨加工まで行った上質なプライムレベルのシリコンウエハーをご提供しております。（ダミーウエハーではありません。） 上記の標準シリコンウエハー以外にも受注生産可能ですので、ご希望の仕様をお問い合わせ下さい。高抵抗のFZ法シリコン基板も小ロットから販売可能です。また、熱酸化膜加工のシリコン基板をお探しの場合は、熱酸化膜の厚さ約200Å-300,000Åの範囲で酸化膜付き加工基板をご提供しておりますので、お気軽に御相談下さい。 |
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 シリコンウエハーに関するお問い合わせ、見積り依頼 SOIウエハー＊上記仕様、納期は製造状況により予告無く変更となる場合が御座います。予めご了承下さい。 |
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